TEMC的3nm工厂环境影响评估(EIA)通过技术竞争之战正式发布IT新闻
2019-08-13

    日前,台湾有关部门宣布,台积电3nm工厂环境影响评价正式通过,总投资约200亿美元的项目进入新阶段。对于一个3nm晶圆厂来说,除了技术研发外,其水电消耗也不容忽视。特别是在EUV技术的广泛应用之后,我们之前在介绍EUV光刻机时就提到了这个问题。由于EUV非常耗电,所以容易吸收13.5nm的紫外光,导致转换效率非常低,据说只有0.02%。目前,ASML的欧盟份额仅为0.02%。V光刻机的输出功率为250W,晶圆厂的耗电量为每天30000度。所以晶圆厂的耗电量非常惊人。台积电在2016年发布的社会责任报告中,总耗电率为88.5亿度。除了耗电之外,晶片工厂在制造芯片的过程中也需要大量的水源。大型晶圆厂每天用水达5万吨。虽然80%以上的再生水已经使用,但总水量仍然令人惊讶,所以建造半导体晶片工厂对环境的压力仍然很大。技术越先进,问题就越明显。台积电总裁魏哲家在本月初表示,3纳米技术已经到位,一切都在等待环境影响评价通过。考虑到三星早些时候宣布的3纳米加速,我们可以肯定地说,3纳米的竞争已经正式开始。首先,三纳米晶圆厂位于台湾南京公园,占地28公顷,毗邻太极拳5纳米晶圆厂。今年8月中旬,台湾环保部门通过了“台南科技园二期基地开发及原一期基地变更计划环差案”的初步审查。昨天,环差案通过了考试。2020年9月被南京政府征用土地后,台积电将立即开始在地面建设一座新的3纳米工厂。根据台积电的资料,其3nm项目投资超过新台币6000亿元,合约194亿美元,合人民币1347亿元,2020年开工,2021年完工,预计2022年底至2023年初投产。看看三星,他们在晶片制造方面的雄心是显而易见的。晶片产生产业主管郑永生(EungSeung Jung)最近在国际电子元件会议(IEDM)上表示,三星已经完成了3纳米工艺技术的性能验证,并正在进一步改进工艺技术。目标是在2020年生产大规模产品,这也将在2022年引领3纳米工艺技术的正式生产。目前,台积电是全球最大的晶片制造市场,约占全球晶片制造市场的60%。不仅收入远远高于其他制造商,而且是最先进的7纳米工艺节点,垄断几乎所有芯片OEM订单。根据TSMC,2018年制造了50多个7纳米芯片,2019年发布了100多个7纳米和增强的7纳米工艺订单。竞争对手三星在7纳米工艺节点上很难赶上TSMC,因此它将把重点放在更先进的3纳米工艺节点上。根据三星的计划,他们将在3nm使用GAA技术,他们的产品被称为MBCFET(多桥沟道场效应晶体管)。根据9月份的报告,这项技术正在使用纳米层器件进行开发。所谓的GAAE/GAAP(3nm栅-All-Around./Plus)栅-All-Around被栅包围。与现有的FinFET三栅极三栅极设计相比,晶体管的底部结构将被重新设计,以克服现有技术的物理和性能限制,增强栅极控制,并大大提高其性能。对于当地的晶片工厂来说,追求先进的制造工艺需要更多的能量和时间。